碳納米管基底的掃描電子顯微鏡圖像(白色尺度條的長(zhǎng)度為2微米)

碳納米管陣列顯微圖像：橫向間距200納米，縱向間距500納米，密度每平方厘米1億個(gè)(白色尺度條400納米)

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CNTFET)陣列顯微圖像：碳納米管間距300納米

碳納米管結(jié)構(gòu)示意圖：?jiǎn)蝹€(gè)原子層卷起形成，相當(dāng)于人類頭發(fā)寬度的千分之一

給碳納米管涂上表面活性劑，使之溶于水

氧化鉿和二氧化硅組成的基底：溝槽中的“立柱”是起連接作用的化學(xué)鍵

基底浸入碳納米管溶液，通過(guò)化學(xué)鍵結(jié)合

碳納米管陣列形成

以后的晶圓可能就是這個(gè)樣子了

IBM的研究員Hongsik Park (應(yīng)該是韓國(guó)人或者韓裔)

過(guò)濾碳納米管溶液

以商用半導(dǎo)體工藝測(cè)試碳納米管晶體管

以商用半導(dǎo)體工藝測(cè)試碳納米管晶體管

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