HDS首席技術(shù)官Yoshida在博客中寫道：“像HDT(Hitachi動態(tài)分層)等功能可以優(yōu)化閃存的使用，通過移動熱卷的頁面到閃存層中，同時讓冷頁面遷移到低成本的硬盤層。另外，HDP(Hitachi動態(tài)配置)通過提供全局損耗均衡來增加耐用性。”

VSP閃存加速

HDS宣布了針對其VSP陣列基于閃存的加速功能，通過一個許可證密鑰來啟用，使它實(shí)現(xiàn)超過100萬隨機(jī)讀取IOPS的性能，是目前VSP性能的3倍。該陣列響應(yīng)IO請求加快了65%，典型OLTP工作負(fù)載下可以得到平均2倍的性能提升。此外還包括：

VSP的虛擬機(jī)密度可以提高1倍。HDS表示一個全閃存的EMC VMAX 40000(40K)能做到81萬IOPS，比閃存加速的VSP少了大約20萬的IOPS。

HDS的CTO Hu Yoshida表示：：“超過24個線程運(yùn)行全SSD的配置，我們使用8K隨機(jī)讀取測量到超過100萬的IOPS。…總體來說，V04A版本的VSP和閃存加速的最大總吞吐量將超越100萬IOPS。”

他認(rèn)為，閃存每GB的成本可能變得比磁盤還低：

大多數(shù)分析師說，硬盤的價格下降速度放緩至大約每年20%，從歷史趨勢看，在過去50年中每年的速度大約為40%。同時，他們預(yù)測MLC閃存驅(qū)動器 的價格正在以大約每年40%的速度下降，主要因?yàn)橄M(fèi)級空間的智能手機(jī)和其他移動設(shè)備的驅(qū)動正在提升容量。以這樣的速度，我們在未來五至七年將看到MLC 閃存變得比性能優(yōu)化的硬盤更便宜。

該功能已經(jīng)開始向新客戶提供，現(xiàn)有的VSP客戶也可以通過一個微碼更新到V04A。

這張幻燈片顯示了HDS閃存產(chǎn)品路線圖的下一步計劃：

我們將看到一款Hitachi/ HDS的PCIe固態(tài)盤、一款全閃存陣列、一個針對直連服務(wù)器磁盤存儲的閃存緩存，以及一個在SAN和NAS(統(tǒng)一存儲)領(lǐng)域的外部固態(tài)盤設(shè)備。VSP陣列將使用該閃存技術(shù)來高速緩存磁盤驅(qū)動器并作為一個分層。

Hitachi工程師已經(jīng)在閃存控制器上努力了一年多，這代表了一個堅定和持久的內(nèi)部發(fā)展，可能給所有其他PCIe閃存、全閃存陣列和混合閃存/磁盤驅(qū)動器陣列供應(yīng)商帶來強(qiáng)有力的競爭，尤其是當(dāng)他們所付出的成本滿足了吞吐量的要求。

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huanghui

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