三星20nm 4Gbit LPDDR2內(nèi)存將量產(chǎn)(圖片引自互聯(lián)網(wǎng))

三星方面也希望20nm工藝的4Gbit LPDDR2顆粒能取代30nm工藝產(chǎn)品。目前像日版三星GALAXY S III以及LG Optimus LTE 2都有跡象表示會(huì)采用2GB內(nèi)存。三星方面預(yù)測(cè)稱，20nm內(nèi)存在2012年會(huì)擁有13%市場(chǎng)占有率;在2013年將會(huì)擁有49%的市場(chǎng)占有率;2014年這個(gè)數(shù)字會(huì)達(dá)到63%。屆時(shí)手機(jī)和平板的主流內(nèi)存也會(huì)上升到2GB。

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