SSD 910架構(gòu)圖

“性能模式”是英特爾Data Center Tool軟件中的一個內(nèi)置功能，不過該功能只能在800GB容量的SSD上實現(xiàn)。400GB的SSD 910模式為“always”性能模式，因為在標準的PCIe 25瓦規(guī)格下就可以實現(xiàn)全速運行。800GB版本的擁有額外組件可以實現(xiàn)在25瓦功耗下運行從而支持其默認模式。將800GB的默認模式轉(zhuǎn)換到性能模式，其功耗也會相應(yīng)增加到38瓦。

英特爾PCI-E SSD(800GB)

局部特寫

圖片中展示的4個鋁電解電容器，屬于“V”類“FK”系列。每個都為330uF，而且看起來好像每個都有功率變頻電路設(shè)計。這四個電容器，也就是相當于每個電容器負責驅(qū)動一個200GB SAS SSD單元。

在對該SSD進行拆解之前，讓我們先來看看其側(cè)面。該效果與我們此前在IDF2012展會上看到的一樣。

側(cè)面俯視

被拆解后的SSD 910(800GB)

最上面兩個PCB(Printed Circuit Board，印制電路板)主要包含閃存芯片，底下的PCB則擁有4個SAS SSD控制器和LSI SAS HBA(主機總線適配器，隱藏在散熱器下面)。

SAS 控制器

從上圖中我們可以看到，每個SAS控制器都有同等的DDR RAM(圖片右下角)，而LSI HBA占據(jù)面積比SAS控制器略小(圖片左側(cè))。

連接器

負責將每個閃存PCB傳輸?shù)街靼宓倪@些連接器也十分牢固，做工精良，用料足。

PCB背面

最后，我們再來看下這三塊PCB背面。從圖片中我們可以發(fā)現(xiàn)，控制器的功率切換器和RAM并排在板子的底下，而那些更大些的LSI SAS HBA估計則被設(shè)計在板子的中間位置。

讀寫性能測試

在對英特爾PCI-E接口的SSD 910的外觀有了初步認識之后，接下來我們就來看看這個產(chǎn)品的性能測試。

測試實驗環(huán)境

當測試諸如SSD 910系列產(chǎn)品的高IOPS設(shè)備的時候，特別需要注意試驗臺不能雜亂不堪，避免有其他設(shè)備的干擾。此次測試采用了Sandy Bridge集成圖形處理能力的平臺架構(gòu)，從而為SSD 910盡量節(jié)省所有可能的帶寬資源。

測試環(huán)境

首先我們進行ATTO測試。Windows下的4個SCSI邏輯單元編號也就意味著Dynamic Disk(軟件)RAID。由于沒辦法對條帶進行設(shè)定，因此 我們只能使用事先定義的64k進行測試。

ATTO測試結(jié)果

在連續(xù)模式下也僅僅是高于1.5GB/S的寫入、低于2GB/s的讀取速度。而在4K-64K區(qū)域性能表現(xiàn)貌似稍遜于主流PCIe SSD。這可能是因為嘗試將4個LUN邏輯單元號與Windows RAID相連。

隨機寫入速度驚人

下面，我們給出只針對一個200GB邏輯單元號進行ATTO測試的參考數(shù)據(jù)：

單個200GB下的測試結(jié)果

我們需要注意的是，當Windows RAID還算空閑的時候，較低的transfer sizes下性能表現(xiàn)緩慢爬升。而且，從以上這兩次ATTO運行數(shù)據(jù)來看，在小于4K的時候基于日立控制器的寫入性能較差。下面，我們來看看IOMeter測試結(jié)果。

不同配置下IOPS值(性能模式)

首先，上圖展示的是LSI HBA分別處理SSD IOPS的數(shù)值，我們可以看到隨著更多LUN的增加，讀寫性能呈現(xiàn)出一種線性的增長趨勢，IOMeter同時直接訪問這四個設(shè)備，繞過了Windows RAID。

緊接著，混合工作負載(同時讀取和寫入)性能要遜于單獨讀或?qū)懙男阅?，盡管這是預(yù)期之中的局面，但反差之大有點令人始料不及。

最后，你會發(fā)現(xiàn)上面的寫入測試數(shù)據(jù)是斜體顯示的，這是剛開始大量使用SSD的時候的數(shù)據(jù)。為了更好的說明這款SSD的性能，下面再對其進行4K隨機寫入測試：

隨機寫入測試

從測試結(jié)果可以看出，4K隨機寫入測出來的IOPS值遠超英特爾所標稱的75K，而且這是在連續(xù)寫入的情況下得到的數(shù)據(jù)。結(jié)合英特爾的HET-MLC閃存技術(shù)，在擴充10倍容量的基礎(chǔ)上還能滿足日常使用長達5年時間之久，可以說這款產(chǎn)品非常彪悍。

wangzhen

<pre id="ljhh5"></pre>