在去年三星首次推出2GB DDR4內(nèi)存模組后的3個(gè)月，也就是2011年4月，Hynix海力士(現(xiàn)代旗下)推出了2400MT/s的2GB DDR4。它也是基于30和39nm制程工藝，工作電壓同為1.2V。

在介紹DDR4的時(shí)候，就不能不提JEDEC。JEDEC(固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，它是微電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu))早在2005 年的時(shí)候，就在為DDR3的推出制定標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。而更高架構(gòu)的DDR4則是在2008年開(kāi)始實(shí)施，并有望在今年最終確定技術(shù)規(guī)范。

三星首個(gè)16GB DDR4內(nèi)存

作為DDR3的繼承和發(fā)展，DDR4將擁有兩種內(nèi)存規(guī)格，分別為SE信號(hào)和微分信號(hào)。根據(jù)國(guó)外的報(bào)告數(shù)據(jù)，DDR4將在2013內(nèi)存市場(chǎng)占據(jù)5%的市場(chǎng)份額，而在2015年，將會(huì)成為市場(chǎng)上的主流內(nèi)存產(chǎn)品，并占據(jù)50%的市場(chǎng)份額。而且DDR4內(nèi)存有望在2014年首先應(yīng)用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后才會(huì)逐漸進(jìn)入桌面平臺(tái)。

DDR4內(nèi)存顛覆性變革

前面我們簡(jiǎn)單介紹了三星此次最新推出的DDR4內(nèi)存技術(shù)。DDR4將能顯著增加內(nèi)存容量和帶寬，緩解內(nèi)存資源應(yīng)用的各種瓶頸性問(wèn)題。大幅降低功耗也使得DDR4將會(huì)在超極本、平板電腦等移動(dòng)平臺(tái)上得到廣泛應(yīng)用。

目前，很多移動(dòng)智能終端都采用了1.2v的低功耗DDR(LPDDR)內(nèi)存。而下一代產(chǎn)品LPDDR3，將能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上降低35%至40%的功耗，但它會(huì)比DDR4高出40%的成本(LPDDR產(chǎn)品生產(chǎn)成本更為昂貴)。

內(nèi)存技術(shù)發(fā)展預(yù)期

DDR4內(nèi)存 對(duì)服務(wù)器而言意義更大

當(dāng)然，我們要說(shuō)的DDR4內(nèi)存，其在服務(wù)器領(lǐng)域的影響更為深刻。比如，英特爾計(jì)劃將在2014年開(kāi)始在服務(wù)器平臺(tái)上使用DDR4。服務(wù)器平臺(tái)是可以說(shuō)是DDR4的極大推進(jìn)者，因?yàn)樗鼈儗?duì)帶寬和低電壓的需求比其他平臺(tái)要強(qiáng)烈的多。

借助DDR4內(nèi)存技術(shù)，服務(wù)器平臺(tái)能夠獲得更高的性能的同時(shí)，大幅降低功耗。目前包括三星、Micron公司都宣布著手生產(chǎn)基于DDR4標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存芯片產(chǎn)品，而且是迄今為止體積最小采用30nm制程工藝的DDR4內(nèi)存芯片。

通過(guò)采用新的電路板結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，三星DDR4內(nèi)存數(shù)據(jù)吞吐將有望達(dá)到3.2Gbps，相比當(dāng)今DDR3的1.6Gbps和DDR2的800Mbps實(shí)現(xiàn)性能大幅提升。此外，DDR4的內(nèi)存還能給服務(wù)器平臺(tái)帶來(lái)更高的計(jì)算密度和擴(kuò)展性。

DDR4和DDR3內(nèi)存結(jié)構(gòu)對(duì)比(圖片來(lái)自網(wǎng)絡(luò)，下同)

Micron的DDR4內(nèi)存模組有望在明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，測(cè)試用內(nèi)存模組已經(jīng)提交給系統(tǒng)廠家。而三星內(nèi)存模組則有望年內(nèi)實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。

DDR3升級(jí)到DDR4是過(guò)去以來(lái)DDR內(nèi)存技術(shù)更新從未有過(guò)的顯著變化。在DDR3同樣的帶寬情況下，DDR4能夠?qū)崿F(xiàn)30%-40%的功耗節(jié)省

。而如果DDR4滿負(fù)荷運(yùn)行的話，其

性能又在DDR3基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)翻番

DDR4引發(fā)市場(chǎng)生死斗

在服務(wù)器領(lǐng)域，DDR4內(nèi)存升級(jí)的意義遠(yuǎn)比在其他平臺(tái)上顯得尤為重要。其性能的提升、功耗的降低、制程的精細(xì)、計(jì)算密度的提升和擴(kuò)展性的進(jìn)一步擴(kuò)充，勢(shì)必會(huì)帶來(lái)服務(wù)器的新一輪升級(jí)換代，在業(yè)已競(jìng)爭(zhēng)激烈的服務(wù)器領(lǐng)域點(diǎn)燃起又一輪生死斗。

首先，在任何一個(gè)行業(yè)，最先推出創(chuàng)新產(chǎn)品的公司，在搶占更多市場(chǎng)份額方面必定更有優(yōu)勢(shì)。尤其是這種DDR4內(nèi)存芯片的率先發(fā)力，必定會(huì)吸引眾多用戶和合作伙伴的眼光，推動(dòng)新一輪產(chǎn)品的更新?lián)Q代

。三星、美光(Micron)、海力士(Hynix)率先發(fā)力，都極力在DDR4內(nèi)存市場(chǎng)上捷足先登。

在服務(wù)器市場(chǎng)，尤其是在本文重點(diǎn)要討論的企業(yè)級(jí)領(lǐng)域，又與消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)不同。它在較長(zhǎng)的時(shí)間段內(nèi)都能保持比較平穩(wěn)的過(guò)渡，即使DDR4內(nèi)存廠商“以誠(chéng)待人”高性價(jià)比推出DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，也并不能快速圈定行業(yè)用戶。畢竟它還與以下種種因素息息相關(guān)：

1、處理器尤其是英特爾、AMD等半導(dǎo)體廠商的平臺(tái)支持;

2、服務(wù)器等OEM廠商的設(shè)計(jì)支持;

3、行業(yè)用戶的實(shí)際應(yīng)用。

英特爾DDR內(nèi)存技術(shù)路線圖

可以肯定的是，在整個(gè)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)域都獲得支持的情況下，虛擬化、數(shù)據(jù)庫(kù)等對(duì)內(nèi)存資源需求最為迫切的應(yīng)用場(chǎng)景中，DDR4將會(huì)最先、最快獲得普及。英特爾路線圖也揭示在其至強(qiáng)Haswell-EX平臺(tái)上新增了對(duì)DDR4的支持，不過(guò)恐怕得等到2014年。而對(duì)桌面和筆記本領(lǐng)域的DDR4支持，有可能會(huì)晚于該時(shí)間點(diǎn)。

特別值得一提的是，云平臺(tái)尤其是私有云的構(gòu)建和部署，會(huì)對(duì)這種更高性能、更低功耗、更強(qiáng)擴(kuò)展性和更高計(jì)算密度的內(nèi)存產(chǎn)品，產(chǎn)生海量需求。而目前大數(shù)據(jù)面臨的挑戰(zhàn)，也需要充分發(fā)揮除了CPU以外的更多資源，比如基于內(nèi)存計(jì)算的大數(shù)據(jù)解決方案

。從而幫助人們利用大數(shù)據(jù)帶來(lái)的機(jī)遇，獲得更智能、高效的發(fā)展。

因此，以上的種種，無(wú)不預(yù)示著DDR3向DDR4遷移的進(jìn)程和周期會(huì)比歷史上的任何一次高級(jí)別DDR遷移來(lái)的更快、周期更短

。這種速度和時(shí)間上的變化，是否也同樣預(yù)示著服務(wù)器內(nèi)存更加激烈的生死斗呢?

zhangwenxi