為了不斷的前進(jìn)和發(fā)展，在2007年，英特爾推出了高K金屬柵工藝，領(lǐng)先行業(yè)3年。去年，英特爾又實(shí)現(xiàn)突破，全球率先推出22nm工藝制程。22nm是一個(gè)什么樣的概念，顯然，它用肉眼是看不見(jiàn)的，如果我們有差不多一億個(gè)22nm工藝的晶體管，那么其體積大小大約能裝在一個(gè)針頭上!

馬宏升在現(xiàn)場(chǎng)展示了模型，這是一個(gè)放大了無(wú)數(shù)倍的晶體管，如果晶體管的體積有這么大，那么現(xiàn)在一個(gè)普通CPU的大小就會(huì)超過(guò)整個(gè)地球體積。

除了這些技術(shù)突破之外，為了解決極其精細(xì)的工藝下，晶體管的漏電問(wèn)題，英特爾推出了三柵極技術(shù)，這是晶體管制造工藝歷史上革命性的一步。

我們來(lái)用模型看看三柵極能夠?qū)崿F(xiàn)怎么樣的創(chuàng)新。

這是技術(shù)突破之前的樣子：

在我們的處理器中，是由一個(gè)個(gè)晶體管組成，而每一個(gè)晶體管是一個(gè)開(kāi)關(guān)，關(guān)上代表0，打開(kāi)代表1，這是典型的二進(jìn)制，利用二進(jìn)制，我們實(shí)現(xiàn)了各種各樣豐富多彩的功能的應(yīng)用。

在一個(gè)晶體管中，柵極起到的作用是控制電流，當(dāng)柵極電壓為0，晶體管就關(guān)閉了，如果有電壓，就有會(huì)電子通過(guò)，晶體管就呈現(xiàn)出打開(kāi)狀態(tài)。晶體管就像水龍頭，在理想的狀態(tài)下，我們希望實(shí)現(xiàn)，關(guān)閉時(shí)候，能夠控制漏電狀態(tài)，沒(méi)有任何電子通過(guò)，打開(kāi)時(shí)候又有很強(qiáng)的電流。然而，隨著晶體管的體積不斷縮小，在極低尺寸的晶體管上，如果采用傳統(tǒng)的工藝，很難對(duì)漏電進(jìn)行控制，也就是說(shuō)，即便是柵極電壓為零，仍然會(huì)有電子穿越柵極通過(guò)，其導(dǎo)致的后果顯而易見(jiàn)，晶體管將無(wú)法正確置于關(guān)閉狀態(tài)，其功能也將失效。

現(xiàn)在我們?cè)賮?lái)看看三柵極晶體管，和二維的設(shè)計(jì)不同，三維的結(jié)構(gòu)可以顯著的改善晶體管開(kāi)和關(guān)的狀態(tài)，與此同時(shí)，其表面積更大，在開(kāi)放狀態(tài)下，也能夠產(chǎn)生更大的電流，晶體管的關(guān)與開(kāi)，區(qū)分更加明顯，晶體管的功能也能夠?qū)崿F(xiàn)正?；?/p>

英特爾的三柵極技術(shù)可以降低晶體管的漏電，并且開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換更加迅速，能耗也更低。

當(dāng)然，在采用三柵極技術(shù)的同時(shí)，英特爾的處理器中還利用了英特爾以前的技術(shù)，比如高K金屬柵等。

新的技術(shù)再次驗(yàn)證了摩爾定律，并且能夠很明顯的改善用戶的體驗(yàn)，這樣的芯片可以適用在包括了超極本和服務(wù)器上，這種晶體管也非常適用在平板電腦和智能手機(jī)上，馬宏升表示，這是英特爾核心技術(shù)的創(chuàng)新體現(xiàn)。

wangyao