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第一個做主題演講的是英特爾中國區(qū)董事長、英特爾的公司的全球執(zhí)行副總監(jiān)馬宏升，他演講的主題為“英特爾與中國共贏未來”，馬宏升介紹了英特爾推動核心技術的創(chuàng)新。

他重點介紹了三柵極的晶體管能夠很明確的改善用戶的體驗，包括超極本、PC以及服務器。當然，也非常適用于體積更小，更便于攜帶的設備，比如說平板電腦和智能手機。

【圖2 英特爾中國區(qū)董事長、英特爾的公司的全球執(zhí)行副總監(jiān)馬宏升】

就像戈登.摩爾自己說的，摩爾法則不是一個法則，而是一個機遇。

在2007年，英特爾推出了世界上第一個高K金屬柵極技術，這個的推出領先于我們整個行業(yè)三年。2011年，英特爾又推出了一個重大突破——實現(xiàn)了22納米的制程技術，馬宏升稱之為“科學奇跡”。

那么，22納米到底有多大?實際上你用肉眼是看不見的。

馬宏升通過一個很有趣的對比形象地說明了22nm的體積之小，它用了比納米級的晶體管大很多的幾個模型，如果把晶體管放大到模型的比例放大，馬宏升本人的體積將可以超過地球了。

為什么說它是一個革命性的進步呢?首先我們要理解平面晶體管的工作方式。晶體管是一個開關，跟大家家里的開關一樣。關上開關，實際上代表著邏輯的0，打開是代表著一個邏輯的1。開和關的概念，0和1的概念，實際上是涵蓋了我們生活中接觸到的所有數(shù)字技術。

一個晶體管有幾個組成部分，源極，柵極，高K介電材料,高K介電材料能夠降低柵極的漏電。在柵極的電壓為0時，晶體管就關閉了，電子就不會從源極流到漏極，電壓附加到柵極上，晶體管就打開了。電子就自由的從源極流到漏極。

什么是好的晶體管呢?我們來設想另外一個非常常見的開關，也是在家庭當中常見的——淋浴，關上淋浴的時候，不希望水滴下來，打開淋浴的時候，希望這個水能夠有很好的水流出來，水量很高，可以很好的沖澡。對于晶體管是一樣的，我們希望控制好關閉的狀態(tài)，確保沒有漏電的情況。打開的時候，我們希望有很強的電流。

晶體管也應該能夠很快速的在開關之間進行切換，三柵極的晶體管，不像平面晶體管。三柵極的晶體管用一個鰭狀物的結構，這樣3D的結構，能夠改善開和關的狀態(tài)的特性。那么在三柵極晶體管打開的時候，電子能夠通過這個表面，通過鰭狀物的表面，以及兩邊流動。所以，它的表面極更大，這樣能夠產(chǎn)生更大的開的電流。

通過利用3D的設計，能夠控制3個方面的能力：使得能夠降低漏電壓;同時，能夠更快的在開關之間進行切換;3D的晶體管體積更小，速度更快，能耗要低很多。它的設計是基于英特爾的應變硅技術，以及高K金屬柵極的技術。那么，我們就能夠在低電壓，實現(xiàn)30%的性能提高。以及在持續(xù)性能降低，耗能高達50%。

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