瘋狂的超頻愛好者正在備戰(zhàn)

對超頻玩家來說內(nèi)存不光是保證電腦穩(wěn)定運(yùn)行的配件，更是決定超頻成敗的關(guān)鍵一環(huán)。每款內(nèi)存在他們手中，都可能成為所向披靡的超頻利器。當(dāng)然，一款內(nèi)存能否成為超頻英雄，與內(nèi)存芯片品質(zhì)是密不可分的。品牌內(nèi)存芯片出廠必須嚴(yán)格經(jīng)過，前工序、后工序和檢測工序三個階段。這關(guān)系到內(nèi)存與主板的兼容性，也決定了平臺超頻的高低和是否穩(wěn)定。另外，內(nèi)存芯片納米技術(shù)的提高，也是覺得平臺在低功耗，低電壓下能否超常超頻的因素。

超頻成敗與內(nèi)存芯片品質(zhì)密不可分

早在去年三星就發(fā)布了原廠30納米內(nèi)存，預(yù)計(jì)2012年投入量產(chǎn)。一年過去了如今三星原廠1600 4GB 30納米工藝內(nèi)存，已經(jīng)在市場上廣泛鋪貨。不過比起金士頓、威剛、宇瞻這些內(nèi)存品牌的名聲，三星內(nèi)存還稍遜一籌。多數(shù)用戶仍喜歡選擇金士頓內(nèi)存裝機(jī)。但在部分游戲玩家和超頻愛好者眼中，三星裸條具備的實(shí)力遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于它的知名度。畢竟30納米級產(chǎn)品和40納米在超頻性能上，存在不小的差距。今天我們就從超頻性能出發(fā)，用老將級別的金士頓1600駭客神條，與三星30納米1600內(nèi)存進(jìn)行一下對比。

三星30納米裸條對抗金士頓40納米神條

三星原廠30納米4GB DDR3-1600MHz內(nèi)存，為三星綠色節(jié)能內(nèi)存條，具有低功耗節(jié)能的與眾不同特點(diǎn)。目前這款產(chǎn)品的市場價(jià)格為165元，與金士頓DDR3 1600 4GB駭客神條價(jià)格接近。下面我們就通過超頻測試來看看，30納米產(chǎn)品與40納米產(chǎn)品的差距。

超頻平臺及測試軟件介紹：

三星30納米DDR3 1600內(nèi)存超頻體驗(yàn)：

三星30納米DDR3 1600內(nèi)存超頻至2133頻率

2133頻率下內(nèi)存電壓僅為1.5V

我們都知道30納米內(nèi)存與40納米內(nèi)存相比，最明顯的就是低功耗低電壓，這一點(diǎn)尤其體現(xiàn)在超頻上。當(dāng)內(nèi)存頻率提升至2133MHz時(shí)，內(nèi)存無需加壓只需要通過BIOS簡單設(shè)置。

三星30納米DDR3 1600內(nèi)存輕松超至2133頻率

AIDA64內(nèi)存速度測試：

內(nèi)存速度測試

在AIDA64內(nèi)存測試中，三星30納米DDR3內(nèi)存2133頻率下讀取速度為15196MB/s，寫入速度為16716MB/s，拷貝速度可達(dá)到14764MB/s，內(nèi)存延遲速度為44.1ns。

GO-SP2004穩(wěn)定性測試

此時(shí)當(dāng)三星30納米內(nèi)存達(dá)到2133頻率時(shí)，CPU在滿載情況下完全可以穩(wěn)定運(yùn)行，這也證明超頻并沒有影響整體平臺的穩(wěn)定。此時(shí)我們的計(jì)算機(jī)速度得到了進(jìn)一步提高。

金士頓40納米DDR3 1600駭客神條超頻體驗(yàn)：

金士頓40納米1600內(nèi)存超至2133頻率

2133頻率下內(nèi)存電壓達(dá)到1.65V

同樣是從1600MHz超到2133MHz，三星30納米內(nèi)存所用電壓僅為1.5v，金士頓駭客神條就需要加壓到1.65v。功耗增加溫度也會上升，雖然都屬于正常值范圍，不過1.5v更有利于平臺的穩(wěn)定。

1.65v電壓下金士頓1600MHz駭客神條超至2133頻率

AIDA64內(nèi)存速度測試：

內(nèi)存速度測試

在AIDA64內(nèi)存測試中，金士頓40納米DDR3內(nèi)存2133頻率下讀取速度為11796MB/s。寫入速度為9389MB/s，拷貝速度可達(dá)到10529MB/s，內(nèi)存延遲速度為44.4ns。

GO-SP2004穩(wěn)定性測試

測試對比及總結(jié)：

盡管我們的超頻體驗(yàn)只是在常規(guī)環(huán)境下進(jìn)行，并沒有達(dá)到產(chǎn)品的極限數(shù)值。但是30納米內(nèi)存與40納米內(nèi)存超頻差距已經(jīng)很明顯，當(dāng)兩款內(nèi)存頻率均達(dá)到2133MHz時(shí)，三星30納米產(chǎn)品電壓僅為1.5v，而金士頓40納米產(chǎn)品要加壓到1.65v。

雖然只是0.15v的差距，但長時(shí)間工作下，平臺功耗和溫度會發(fā)生較大差別。高電壓不但不利于平臺的穩(wěn)定性，對專業(yè)超頻者來說還有可能與理想值擦身而過。

30納米 VS 40納米內(nèi)存速度對比

在內(nèi)存基礎(chǔ)性能上也可以看出，30納米顆粒內(nèi)存無論是讀取、寫入、拷貝速度均領(lǐng)先同頻率40納米產(chǎn)品。

內(nèi)存延遲速度對比

通過三星30納米裸條與金士頓40納米神條的對比，大家可以看出在超頻上兩者存在的差距。這一點(diǎn)對超頻玩家來說尤其重要，而主流用戶在不超頻的前提下，在使用中不會感覺有大的差別。不過這對筆記本電腦用戶來說，就不一樣了。

三星30納米內(nèi)存同樣擁有筆記本產(chǎn)品，低電壓低功耗在筆記本電腦中則會有明顯差距。這關(guān)系到筆記本的散熱及耗電量，目前三星30納米4GB 1600筆記本內(nèi)存價(jià)格在170元上下，與同等頻率和容量的筆記本產(chǎn)品相比，超值的性價(jià)比同樣顯著。

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