三星在3D堆疊閃存技術(shù)上走在了前列，2014年發(fā)展到了第二代32層堆疊，最近INTEL與美光合作也拋出了3D NAND閃存。

Intel副總裁、非易失性閃存方案事業(yè)部總經(jīng)理Rober Crooke近日向投資者首次公開(kāi)展示了Intel 3D NAND閃存。下圖可以看出其非常小非常薄。

據(jù)他透露，Intel 3D閃存使用了32層堆疊(和三星第二代相同)，其中穿了大約40億個(gè)孔洞用于垂直互聯(lián)，最終做到單內(nèi)核容量256Gb(32GB)，比普通的2D閃存翻了一番。

Intel目前使用的是MLC閃存顆粒，但已經(jīng)在設(shè)計(jì)TLC版本的，單內(nèi)核容量可輕松達(dá)到384GB(48GB)。

Intel聲稱(chēng)，他們可以在2毫米的厚度內(nèi)做到1TB容量，也即是一個(gè)SD卡那么大，而兩年后可以實(shí)現(xiàn)10+TB容量的固態(tài)硬盤(pán)。

Intel計(jì)劃在2015年下半年發(fā)布基于3D閃存的固態(tài)硬盤(pán)，價(jià)格會(huì)極具競(jìng)爭(zhēng)力。

這種閃存將在Intel、美光合資的美國(guó)猶他州工廠(chǎng)生產(chǎn)，使用20+nm工藝，暫時(shí)還不是最新的16nm。