DOSTOR北京報道：全球最大規(guī)模的消費電子展“CES 2015”將于2015年1月6日-9日美國舉行。在展會揭幕前夕，來自國際知名品牌，三星電子的多款產(chǎn)品榮獲了本次展會的創(chuàng)新大獎；這其中就包括，世界最大容量，新一代4GB超高速移動DRAM(LPDDR4)，以及大幅提升使用便利性的1TB攜帶式SSD T1，另外還有保證最佳性能與使用周期的基于第二代全新32層3D V-NAND技術的850 PRO SSD等多款半導體產(chǎn)品榮獲“CES 2015創(chuàng)新獎” ，均創(chuàng)下歷史記錄。其中，三星850PRO固態(tài)硬盤（SSD）獲得該獎項可謂實至名歸，全新的3D-V NAND技術的應用，使得該產(chǎn)品成為同行業(yè)中的領軍產(chǎn)品。

“CES創(chuàng)新獎”由CEA于1976年設立。該獎由美國工業(yè)設計師協(xié)會(IDSA)和CEA專家聯(lián)合授予。在此之后，三星電子將在舉辦“CES 2015”的美國拉斯維加斯會議中心設置大型展位，展示榮獲CES創(chuàng)新獎的產(chǎn)品及在世界消費電子行業(yè)領先的其他產(chǎn)品與技術。

此次榮獲“CES 2015創(chuàng)新獎”的三星850PRO固態(tài)硬盤產(chǎn)品，其采用的全新32層3D V- NAND技術不僅使得該產(chǎn)品擁有極高的讀寫速度，更能夠為該系列產(chǎn)品提供更加持久的質量保證。

此前應用在SSD產(chǎn)品中的閃存芯片，所采用的2D平面型NAND技術是眾多SSD廠商所使用的，該技術最大的瓶頸就在于，臨近存儲單元的堆放密度極限，如何在同等面積下容納更多的存儲單元成為了SSD升級面臨的最大問題。由三星自主開發(fā)的32層堆疊，3D V-NAND技術的出現(xiàn)，完美的解決了這個問題；該技術采用不同于傳統(tǒng)NAND閃存的排列方式，通過改進型的Charge Trap Flash 技術，在一個3D的空間內(nèi)垂直互連各個層面的存儲單元，使得在同樣的平面內(nèi)獲得更多的存儲空間。這樣的設計，我們可以通俗的理解成，在單位空間內(nèi)，晶體管的容量是以立體形式堆疊出現(xiàn)的，就好比在一塊土地上蓋房子，如果是采用平房結構，那么就會降低土地的利用率，要是采用樓房的形式，就會大大提升單位面積的利用率。

而且，三星全新的32層 3D V-NAND技術，可以垂直堆疊更多個存儲單元，從而提高密度，降低碳足跡，并且還能可提供兩倍于傳統(tǒng)20nm平面NAND閃存的密度和寫入速度，使得該產(chǎn)品最快讀寫速度均在500M每秒以上。而且還使得32層3D V-NAND閃存的使用壽命，較之SLC閃存延長至兩倍以上，全新的三星3D V-NAND技術使得全新的SSD產(chǎn)品的工作負荷大大提升。每天可應對40GB以上的超大容量，這樣的工作負荷等同于寫入150TB（TBW），確保了SSD具有更長的使用壽命；這也是三星850 PRO SSD產(chǎn)品能夠在業(yè)內(nèi)率先提供10年質保的最大技術保障。

除了在閃存方面的技術提升，三星850 PRO固態(tài)硬盤，在主控方面采用了三星全新研發(fā)生產(chǎn)的S4LN045X01-8030（MEX）主控制器，它屬于ARM架構的三核處理器，具備更強悍的多任務、多路數(shù)據(jù)讀寫傳輸能力。主要提高在算法設計和CPU的頻率。與之前的300MHz MDX三核主控相比，850PRO的MEX主控的頻率提高到400MHz。

此次三星存儲產(chǎn)品以及其它多款產(chǎn)品榮獲”CES2015創(chuàng)新獎“可謂實至名歸，三星電子北美總括李宗錫 (Gregory Lee)副社長表示：“三星電子致力于為世界各地消費者提供全新的使用體驗，消費者在‘CES 2015’現(xiàn)場將會看到三星電子的最新成果。”

作為消費者，相信三星電子產(chǎn)品，一定會在提高消費者使用體驗方面做出更大的創(chuàng)新，同時也期待三星存儲能夠為每一位消費者提供更加完善，更加便捷的產(chǎn)品體驗。