臺積電今天官方宣布，16nm FinFET Plus(簡稱16FF+)工藝已經開始風險性試產。

16FF+是標準的16nm FinFET的增強版本，同樣有立體晶體管技術在內，號稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40%，或者同頻功耗降低最多50%。

臺積電表示，該工藝已經在ARM 64位架構上通過了驗證，Cortex-A57大核心能夠跑到2.3GHz，Cortex-A53小核心則能做到75mW。

更關鍵的是，良品率也正在穩(wěn)步提升，同期技術成熟度相比臺積電此前所有工藝也是最好的。

臺積電稱，16FF+工藝將在11月底按計劃通過全部可靠性驗證，已有近60項客戶芯片設計安排在2015年底前完成流片。

根據(jù)良品率和性能情況，臺積電預計新工藝將在2015年7月左右開始大規(guī)模量產。

Avago、飛思卡爾、LG、聯(lián)發(fā)科、NVIDIA、瑞薩電子、Xilinx都站出來表達了對臺積電16FF+工藝的支持，表明他們都正在準備相應的產品，特別是NVIDIA出來發(fā)言的是GeForce業(yè)務部門高級副總裁Jeff Fisher——16nm N卡明年見!