全球存儲技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)三星電子今日宣布已開始量產(chǎn)全球首款20納米8Gb DDR4企業(yè)級服務(wù)器用DRAM。今年下半年適用于DDR4的服務(wù)器中央處理器已經(jīng)上市，此時量產(chǎn)該款DRAM產(chǎn)品將推動高端服務(wù)器市場從DDR3向DDR4的轉(zhuǎn)換。

基于20納米8Gb DDR4的服務(wù)器用DDR4內(nèi)存模塊，與基于DDR3的模塊相比，數(shù)據(jù)傳送速度提升了約30%，實現(xiàn)了2400Mbps的超高性能。同時，相對于DDR3模塊的1.5伏工作電壓，新產(chǎn)品只需1.2伏電壓，因而耗電量也更低。

此外，如果只基于現(xiàn)有的4Gb DRAM，最多只能生產(chǎn)出容量為64GB的內(nèi)存模塊。然而如果結(jié)合此次推出的8Gb DRAM和今年8月三星電子全球首先投入量產(chǎn)的硅通孔（Through Silicon Via, TSV）封裝技術(shù)，那么則可以生產(chǎn)出最大容量為128GB的內(nèi)存模塊，從而進一步推動高密度DRAM市場的發(fā)展。

三星電子存儲芯片市場營銷部負責人白智淏副總裁表示：“此次推出的20納米8Gb DDR4 DRAM大大滿足了推動下一代企業(yè)級服務(wù)器市場發(fā)展所需的三大要素,即高性能，高密度和高節(jié)能。今后，三星將繼續(xù)提升20納米DRAM產(chǎn)品的比重，以高性能和高密度的產(chǎn)品滿足全球高端服務(wù)器用戶日益增長的需求。”

三星電子在今年3月成功量產(chǎn)全球首款20納米PC用DRAM之后，至今仍是業(yè)內(nèi)唯一一個有能力量產(chǎn)20納米DRAM的企業(yè)。此后，三星電子繼而在今年9月推出20納米移動DRAM，加之今天推出的20納米服務(wù)器用DRAM，可以說三星已經(jīng)構(gòu)建了足以引領(lǐng)“20納米DRAM新紀元”的完整的產(chǎn)品線。

今后，通過把生產(chǎn)效率高的4Gb產(chǎn)品用于PC，封裝小且芯片堆疊層數(shù)少的6Gb產(chǎn)品用于移動設(shè)備，大容量的8Gb產(chǎn)品用于服務(wù)器，三星電子將會根據(jù)用途對各種容量的DRAM產(chǎn)品進行優(yōu)化組合，以差別化的產(chǎn)品戰(zhàn)略引領(lǐng)DRAM市場的發(fā)展。