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多級閃存陣列是否會進(jìn)入數(shù)據(jù)中心?

wangfei 發(fā)表于:14年09月17日 20:32 [編譯] DOIT.com.cn

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[導(dǎo)讀]正如在所有的計算應(yīng)用中所見的那樣,這種看似最佳選擇的技術(shù)其實也有很多缺點(diǎn)。首先,閃存損耗的速度很快,隨著用戶在每個存儲單元中不斷寫入和擦除數(shù)據(jù),那些存儲單元就會逐漸退化,最終變得無法使用,因為它不能再承載電荷了。

多級存儲這個概念已經(jīng)為數(shù)據(jù)中心和大型服務(wù)器基地所熟悉。

過去,這通常是通過一條總線將不同轉(zhuǎn)速的磁盤連接起來的方式組成的,比如將配備15000轉(zhuǎn)硬盤的SCSI磁盤陣列設(shè)為快速訪問區(qū),而將配備7200轉(zhuǎn)或5400轉(zhuǎn)硬盤的磁盤陣列設(shè)為慢速訪問區(qū)。

然而,這通常是通過使用完全不同的界面和磁盤來實現(xiàn)的,比如將SAS接口的閃盤作為快速訪問區(qū),將SATA接口的傳統(tǒng)硬盤設(shè)為低速訪問區(qū)。

可是,閃存并不是一個單一的概念。它是由一整套技術(shù)組成,共有三個成員:

· SLC(單級單元):每個存儲單元都可以儲存一個比特的數(shù)據(jù);

· MLC(多級單元):它是在SLC的基礎(chǔ)上擴(kuò)展所得,其實應(yīng)該被稱作雙級單元,因為每個存儲單元可以儲存最多兩個比特的數(shù)據(jù);

· TLC(三級單元):令人驚奇的是,三級單元的每個存儲單元可以儲存最多三個比特的數(shù)據(jù)。

正如在所有的計算應(yīng)用中所見的那樣,這種看似最佳選擇的技術(shù)其實也有很多缺點(diǎn)。首先,閃存損耗的速度很快,隨著用戶在每個存儲單元中不斷寫入和擦除數(shù)據(jù),那些存儲單元就會逐漸退化,最終變得無法使用,因為它不能再承載電荷了。

磨損

SLC的速度超快,而且使用壽命是最長的,但是它的價格最昂貴。因為儲存相同數(shù)量的數(shù)據(jù),你需要的SLC存儲容量將會是MLC存儲容量的兩倍。

TLC的使用壽命最短,每個存儲單元只能在八個電壓級中的一個電壓級上有效,相比之下SLC的有效電壓級是兩個,MLC是四個。你在存儲系統(tǒng)中劃分的級數(shù)越多,與磨損有關(guān)的錯誤率就越高,但是它的價格是相當(dāng)便宜的。

現(xiàn)在,MLC似乎才是一個中庸或平衡的選擇,因為它在使用壽命、訪問速度和成本價格上面都處于一個相對中性的水平。

鑒于此,我們再來看看為什么我們要在數(shù)據(jù)中心里首先考慮部署多級存儲的兩個主要原因。

基于磁盤的備份:越來越多的企業(yè)開始使用廉價的SATA接口硬盤,將它們作為輔助存儲媒介來代替磁帶,而磁帶則僅用于歸檔應(yīng)用。

我曾經(jīng)在很多完全沒有磁盤驅(qū)動器的企業(yè)工作過,因為他們有多個站點(diǎn),使用大量的廉價磁盤來備份數(shù)據(jù)。當(dāng)他們想要?dú)w檔數(shù)據(jù)以便帶走時,他們會將數(shù)據(jù)拷貝到移動硬盤上。

為特殊應(yīng)用量身打造的高速存儲:面向極少數(shù)數(shù)據(jù)加強(qiáng)型應(yīng)用打造超高速硬盤。

下面我們來仔細(xì)分析一下這些應(yīng)用方案。

對于基于磁盤的備份來說,你可能很快就能使用閃存了,原因很簡單:“太便宜了”。 在備份上面,你肯定希望存儲成本又低,容量又大,然而閃存要想完全取代傳統(tǒng)磁盤,可能還要過幾年才行。

對于高速存儲應(yīng)用方案來說,有兩個可選的方案:

· 如果你現(xiàn)在有很多傳統(tǒng)硬盤,而你需要一些快速訪問的存儲媒介,那么你可以在傳統(tǒng)硬盤層級上添加一個閃存層級。

· 你現(xiàn)在擁有大量閃存存儲器(速度超快的),如果你需要更快的訪問速度,或許你不僅可以從存儲技術(shù)的角度入手,還可以考慮一下整個基礎(chǔ)存儲子系統(tǒng)。

· 從表面來看,對多級閃存陣列的需求不說極少,至少也是很有限的。

· 我這么說是什么意思? 不可見的閃存陣列?

誰擁有最好的控制器?

當(dāng)前市面上的閃存技術(shù)存在的一個重要因素是,因為閃存磁盤很容易磨損,因此廠商們就開始在提高控制器技術(shù)上面動腦筋,以抵消使用壽命有限帶來的不利影響。

因此,這些控制器在設(shè)計時就會考慮諸如“損耗調(diào)整”的概念,即把負(fù)載平均散布到磁盤的所有存儲單元上。 你看不見這個,但它就是這么做的。

閃存磁盤已經(jīng)作為預(yù)存儲層出現(xiàn)在傳統(tǒng)磁盤陣列上。就象RAIDSCSI控制器配備了RAM形式的板上超高速緩存一樣,我們在高速主機(jī)和低速傳統(tǒng)硬盤之間的存儲陣列中也看到了高速超高速緩存磁盤的身影。

使用閃存還是不使用閃存?

在當(dāng)前的技術(shù)水平下,兩級陣列這個概念并非遙不可及,我們可以在主機(jī)所在的層級上使用少量高速、使用壽命較長的SLC磁盤,同時在后臺輔以大量低速、使用壽命相對較短的MLCTLC磁盤,另外再附加一個有效的控制器來決定將數(shù)據(jù)從高速層級轉(zhuǎn)向低速層級的時機(jī)。

奢侈的體驗

但是,很難想象閃存存儲能否在未來的一兩年里繼續(xù)保持青春,還是會有很多企業(yè)去使用多級閃存存儲。

安裝具有一定規(guī)模的閃存存儲基礎(chǔ)設(shè)施所需的投資必定不小,你不僅要考慮磁盤的成本,還要考慮整個存儲基礎(chǔ)設(shè)施的成本,因為你必須確保主機(jī)能夠發(fā)揮出存儲的最大用途。

因此,近期考慮的問題就不會是“我應(yīng)該使用哪種類型的閃存?” 而應(yīng)該是“使用閃存還是不使用閃存?”。

在未來的三到五年里,當(dāng)閃存的商業(yè)化程度進(jìn)一步提高時,我們也許會開始看到人們將閃存用在SAN中,就象他們現(xiàn)在使用15000轉(zhuǎn)和7200轉(zhuǎn)的傳統(tǒng)硬盤一樣。

但是,目前多級閃存可能仍然只適用于陣列中,并且完全由智能控制器單元來控制。系統(tǒng)管理員只要做好技術(shù)監(jiān)控工作就行了。

[責(zé)任編輯:朱朋博]
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