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延續(xù)摩爾定律 英特爾公布Broadwell細(xì)節(jié)

至頂網(wǎng) 發(fā)表于:14年08月13日 13:44 [綜述] DOIT.com.cn

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[導(dǎo)讀]越來越多的人開始關(guān)注英特爾14nm工藝,不可否認(rèn)英特爾在工藝方面的領(lǐng)先地位,但隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品在延續(xù)摩爾定律方面的困難逐漸加大,收益遞減,很多人都在猜測(cè)摩爾定律是否會(huì)停止。

目前來看,越來越多的人開始關(guān)注英特爾14nm工藝,確實(shí)英特爾在工藝方面是領(lǐng)先地位,但隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品在延續(xù)摩爾定律方面的困難逐漸加大,收益遞減,很多人都在猜測(cè)摩爾定律是否會(huì)停止。

近日,有則相關(guān)摩爾定律的好消息,英特爾公布了關(guān)于下一代14納米 Broadwell 處理器的更多細(xì)節(jié),同時(shí)表示,Broadwell處理器將在2014年發(fā)貨,用戶將陸續(xù)與英特爾其它方面的14nm處理器見面。

英特爾非常自豪的介紹了他們?cè)谕七M(jìn)摩爾定律方面所取得的進(jìn)步,在過去的幾年時(shí)間里,14nm取得了明顯的進(jìn)步,英特爾在推進(jìn)摩爾定律方面做出來巨大貢獻(xiàn),同時(shí)英特爾表示,再推進(jìn)摩爾定律的時(shí)候,摩爾定律的收益也并沒有受到影響,下面我們來看一下14nm制程的一些信息。

工藝進(jìn)步

我們可以看到14nm工藝先比22nm在多方面都有了進(jìn)步,在內(nèi)部晶體管間距、晶體管柵極間距以及晶體角距等方面都相比上一代有了大幅度進(jìn)步。

互聯(lián)技術(shù)

14nm的產(chǎn)品能夠提供更優(yōu)的互聯(lián)技術(shù)。

晶體管間距的改變

晶體管間距

Broadwell 處理器將高性能和低功耗相結(jié)合,非常適合移動(dòng)設(shè)備使用。Haswell 處理器已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了令人印象深刻的電池續(xù)航,而Broadwell 會(huì)進(jìn)一步改善設(shè)備續(xù)航。

第2頁:Broadwell處理器提供更好的性能

更高的性能

針對(duì)移動(dòng)、平板和Server平臺(tái),,Broadwell處理器能夠在性能方面帶來大幅的提升,而在功耗方面,則持續(xù)降低。

對(duì)產(chǎn)品的提升

我們來看下晶體管的研發(fā)費(fèi)用,首先我們看到,晶體管越來越小,研發(fā)費(fèi)用逐漸上升,但我們看第三幅圖,每個(gè)晶體管的研發(fā)價(jià)格是越來越低的。

研發(fā)花費(fèi)

下面我們來看一下Broadwell的一些特點(diǎn),其采用了全新的外觀設(shè)計(jì),這樣讓系統(tǒng)可以安靜的運(yùn)行,并且提升了散熱功能,散熱裝置的尺寸可以減少兩倍。

Broadwell利用全新微架構(gòu)和生產(chǎn)工藝,與上代處理器相比,英特爾架構(gòu)師和芯片設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)了散熱設(shè)計(jì)減小兩倍的目標(biāo),同時(shí)性能保持不變,并改善了電池續(xù)航。

英特爾實(shí)現(xiàn)了全球第一個(gè)實(shí)現(xiàn)了14納米工藝批量生產(chǎn)。Broadwell使用第二代三柵極晶體管,性能、功能、密度和成本都是業(yè)界領(lǐng)先。

在未來,英特爾14納米工藝將用來生產(chǎn)各種高性能、低功耗產(chǎn)品,包括服務(wù)器、個(gè)人計(jì)算設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)。

[責(zé)任編輯:孫瑩瑩]
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