眾所周知，很多存儲(chǔ)系統(tǒng)的寫操作程序中，內(nèi)存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁，提供更快速的性能，但是如果發(fā)生突然間斷電的情況，如何保護(hù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不丟失，這是存儲(chǔ)系統(tǒng)中老生常談的議題。

業(yè)界廠商先前通過鋰電池在斷電情況下保護(hù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)72小時(shí)不丟失，為消除時(shí)間限制，各大廠商又推出鋰電池+閃存芯片的技術(shù)，在斷電的情況下，鋰電池提供電量，將內(nèi)存中的數(shù)據(jù)寫入到閃存芯片中，這樣有效保護(hù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。但是鋰電池的充放電本身是一個(gè)化學(xué)反應(yīng)，平均支持充放電在1000--1500次，據(jù)統(tǒng)計(jì)，業(yè)界保護(hù)內(nèi)存數(shù)據(jù)安全的鋰電池平均壽命大概1-2年而已，這無疑增加了維護(hù)的次數(shù)和成本。

相對(duì)鋰離子電池，超級(jí)電容的儲(chǔ)能為物理過程，具有節(jié)能，超長(zhǎng)使用壽命，安全，環(huán)保，寬溫度范圍，充電快速，無需人工維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)。Infortrend DS1000系列產(chǎn)品率先使用超級(jí)電容配合閃存芯片保護(hù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)安全。超級(jí)電容的容值都是法拉級(jí)的，這是傳統(tǒng)的電容或者電池做不到的，一般充放電次數(shù)達(dá)到50萬次以上。

DS 1012RTF8前視圖

DS 1012RTF8后視圖 包含雙冗余控制器、8個(gè)千兆iSCSI端口、冗余電源及散熱模塊
可選配8G/16G FC、6G SAS或萬兆iSCSI模塊

超級(jí)電容的這些特性對(duì)某些行業(yè)的應(yīng)用具有特別顯著的優(yōu)勢(shì)，例如，在核電站的某些重要等級(jí)應(yīng)用中，由于輻射等原因，盡量減少人員對(duì)設(shè)備的維護(hù)次數(shù)；或者某些地域偏遠(yuǎn)的觀測(cè)臺(tái)等應(yīng)用，維護(hù)起來非常不易；對(duì)于這些用戶來說，超級(jí)電容推新在保護(hù)內(nèi)存數(shù)據(jù)安全上的無疑是一種福音。