2014年6月11日存儲(chǔ)在線編譯：芯片行業(yè)分析專家Jim Handy就3D NAND芯片的許多相關(guān)問(wèn)題做了個(gè)客觀公正的解讀。

記者：在3D NAND中是否有采用過(guò)硅孔技術(shù)（TSVs-一項(xiàng)通過(guò)堆疊芯片的垂直電連接技術(shù)）？如果沒(méi)有，為什么沒(méi)有？

Jim Handy:3D NAND中沒(méi)有采用過(guò)硅孔技術(shù)，因?yàn)檫@根本就沒(méi)必要。過(guò)硅孔技術(shù)是用來(lái)連接多個(gè)芯片的技術(shù)，3D NAND只是一個(gè)單獨(dú)的芯片。

記者：3D NAND有采用平面單元堆疊技術(shù)嗎？

Jim Handy: 3D NAND使用內(nèi)置橫向單元技術(shù)。這跟平面單元技術(shù)有很大不同。如果你把它稱作“橫向”NAND而不是三維NAND會(huì)幫助你更好的理解它。

記者：平面NAND和3D NAND當(dāng)中使用的閃存單元的幾何形狀有什么明顯區(qū)別？3D NAND技術(shù)對(duì)光刻技術(shù)有什么影響？

Jim Handy: 3D NAND所采用的單元有環(huán)狀單元和又扁又方的平面單元兩種。很難在尺寸上作比較，因?yàn)檫@兩者完全不一樣。因?yàn)?D NAND不是采用光刻密集制程，所以廠商普遍采用相對(duì)輕松的40-50納米制程，而主要花心思在多層上下功夫。

Jim Handy:三星宣稱在技術(shù)上可以達(dá)到更高的可靠性，但是目前還沒(méi)有出臺(tái)相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)來(lái)支持。在去年8月份有一篇文章中提到“三星正在搞3D NAND閃存芯片，你猜一下它會(huì)有怎樣的技術(shù)突破”，我之前猜測(cè)是，在一個(gè)收費(fèi)噱頭之后會(huì)帶來(lái)更低的運(yùn)行功耗提高耐久度，那可是會(huì)帶來(lái)兩大好處：更低的功耗和更長(zhǎng)的壽命。不過(guò)我還是不太看好它。

我們可以看到分析師的觀點(diǎn)還是比較傾向于拿實(shí)際產(chǎn)品來(lái)說(shuō)話。“除了三星之外我沒(méi)找到看見哪家在搞第一代3D V-NAND，更有趣的是，我發(fā)現(xiàn)三星正在搞第二代的3D V-NAND”。

非常感謝Jim接受我們的采訪。TSVs（過(guò)硅孔）技術(shù)說(shuō)的是芯片間鏈接，單獨(dú)的芯片根本用不到，我們先記住這點(diǎn)吧。