英特爾已經(jīng)利用NVMe技術(shù)生產(chǎn)出三款速度極為驚人的PCIe閃存卡——此舉很可能在PCIe閃存卡市場(chǎng)中掀起又一輪波瀾。

英特爾DC P3700

NVMe是一種非易失性內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)訪問(wèn)方式，它的出現(xiàn)意味著主機(jī)操作系統(tǒng)只需要配備單一標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)程序、而不再必須為每一種受支持的PCIe閃存卡提供特殊的驅(qū)動(dòng)程序。SATA Express就是NVMe的具體實(shí)施方案之一。

目前英特爾的NVMe產(chǎn)品家族擁有三位成員，它們分別是DC P3700、P3600以及P3500。三者的存儲(chǔ)容量最高可達(dá)2TB，隨機(jī)讀取IOPS最高為46萬(wàn)。大家可以通過(guò)下面這份圖表對(duì)其速度及其它基本參數(shù)有所了解：

英特爾DC P3n00 PCIeNVMe閃存速度與讀寫(xiě)能力

這三款SSD都采用四個(gè)PCIe 3.0（相當(dāng)于每秒4GB傳輸能力）接口，并由英特爾20納米MLC閃存芯片構(gòu)成。它們借助18條通道由英特爾控制器進(jìn)行操作，并具備五年的有限質(zhì)保周期。在使用壽命方面：

• DC P3700支持總計(jì)36.5 PB數(shù)據(jù)寫(xiě)入量，每天可寫(xiě)滿驅(qū)動(dòng)器全盤(pán)十次（單位縮寫(xiě)為DWPD）;
• DC P3600支持總計(jì)10.95 PB數(shù)據(jù)寫(xiě)入量，每天可寫(xiě)滿驅(qū)動(dòng)器全盤(pán)三次;
• DC P3500支持總計(jì)1 PB數(shù)據(jù)寫(xiě)入量，每天可寫(xiě)滿驅(qū)動(dòng)器全盤(pán)0.3次。

總而言之，三款閃存產(chǎn)品在速度與讀寫(xiě)能力方面還是相當(dāng)出色的。

那么它們與其它同類(lèi)PCIe閃存卡相比結(jié)果如何呢？也就是來(lái)自Fusion-io、美光、三星、希捷/Avago/LSI以及東芝的產(chǎn)品。

三星XS17150與Mikey Micron P520 PCIe系列都擁有現(xiàn)役NVMe產(chǎn)品;我們?cè)�在去年七月的一篇文章中將它們與一款HGST產(chǎn)品進(jìn)行過(guò)兼容性測(cè)試。

NVMe性能圖表（柱狀圖形僅代表隨機(jī)讀取IOPS）

這份圖表的內(nèi)容還不夠明確。我們選擇的是隨機(jī)讀取IOPS作為比較項(xiàng)目，但目前世界上只有兩家制造商實(shí)際生產(chǎn)NVMe 卡，分別是英特爾與三星。因此我們還加入了美光、LSI以及Fusion-io的PCIe閃存卡產(chǎn)品、希望能在一定程度上作出比較。所有閃存卡的容量都在 1.4TB以上。

其中美光P420M卡傳輸速度最快，達(dá)到75萬(wàn)IOPS;三星的XS1715則緊隨其后，IOPS為74萬(wàn)。接下來(lái)出場(chǎng) 的就是英特爾的三款NVMe產(chǎn)品了，然后是LSI（即將歸入希捷）XP6210與Fusion-io的ioScale，二者的表現(xiàn)明顯與前面幾位差出了一 大截。美光的P420M用實(shí)際表現(xiàn)證明，NVMe機(jī)制對(duì)于閃存卡的讀取響應(yīng)速度而言根本不算是必要的提升手段。

根據(jù)我們掌握的情況，美光正在著力打造其P520M NVMe閃存卡。如果屬于非NVMe產(chǎn)品的P420M都能在現(xiàn)有比拼中勝出，相信新方案很可能一舉突破上代方案的性能極限。

我們期待著希捷/LSI與Fusion以及其它所有PCIe閃存卡制造商都能及時(shí)邁向NVMe新時(shí)代。

AnandTech網(wǎng)站發(fā)布了一份關(guān)于英特爾全新DC P3n00 NVMe閃存卡的評(píng)測(cè)報(bào)告，感興趣的朋友可以點(diǎn)擊此處進(jìn)行查看。

三款產(chǎn)品的價(jià)格（制造商建議零售價(jià)）如下：400GB容量P3700為1207美元，400GB容量P3600為783美元，而400GB容量P3500為599美元。