從6TB到60TB只需要6年

硬盤的容量每12-16個月增長一倍，超越過摩爾定律和集成電路的發(fā)展速度，硬盤制造商希捷將帶來一次10倍的容量提升。數(shù)據(jù)中心的6TB硬盤和4TB的臺式機(jī)硬盤的出現(xiàn)都依賴于過去的改變和技術(shù)突破。存儲技術(shù)的是為數(shù)不多的超前于用戶需求的技術(shù)。 

從一噸/5M到1.5磅/6TB

1956年IBM推出RAMAC 350。RAMAC 350由50個24吋的碟片組成，重量約為1噸，可以存儲5MB的數(shù)據(jù)，直到2002年還在沿用這一技術(shù)。

垂直化

2002年硬盤制造商開始把在硬盤上的字節(jié)由水平改為垂直。通過改變磁極，技術(shù)人員可以把數(shù)據(jù)排列的更為緊密，這樣一來提升了硬盤的存儲密度，也就能存儲更多數(shù)據(jù)。 

重疊軌道技術(shù)

2013年，希捷采用SMR技術(shù)，通過重疊軌道，面密度由每平方英寸1.3TB提高到每平方英寸/1.4TB。
希捷表示將繼續(xù)通過SMR把存儲面密度提升25%或者1.25TB。
 
氦氣硬盤技術(shù)

2013年西數(shù)子公司HGST發(fā)布第款氦氣硬盤--- Ultrastar He6，里面封裝了滿滿的氦氣。這一硬盤把盤片數(shù)從5個提升到了7片，進(jìn)一步提升了每個碟片的密度。

氦氣的使用解決了許多問題。七分之一的空氣密度，減少氦氣的消耗，降低了驅(qū)動器23%的功耗，噪音減少30%，溫度低下4-5攝氏度。氦氣盤還可以防潮，減少雜物進(jìn)入的可能，還可以減少由于空氣上下流動導(dǎo)致硬盤讀寫出錯的幾率。將添加氦氣至3.5英寸硬盤當(dāng)中，容量可提升50％。
 
納米光刻技術(shù)和自組裝分子

HGST實驗室去年宣布，結(jié)合了自組裝分子和納米壓印這兩種創(chuàng)新的納米技術(shù) - - 在磁盤盤片上制作出大面積密集的僅為10納米的磁島，大約比人的頭發(fā)絲還細(xì)10萬倍。

每個點可以存儲一個位的信息，每平方英寸有12000億個點-兩倍于現(xiàn)如今的磁盤密度。 

HGST希望這一技術(shù)可以在未來十年內(nèi)成為一個低成本的提升磁盤數(shù)據(jù)存儲密度的方法。 

HAMR時代

熱輔助磁記錄（HAMR）技術(shù)是希捷在2006年的專利，增加了一個小的激光驅(qū)動器來改良磁盤的磁特性。給予磁盤驅(qū)動器5Tbit/in的面密度。

HAMR還采用納米潤滑技術(shù)，使得硬盤的讀寫頭可以更加貼近盤片，這一樣一來也就可以讀寫更多數(shù)據(jù)。

HAMR技術(shù)的另一個大的優(yōu)勢在于，它把現(xiàn)在磁盤使用的鈷鉑合金涂料換成了鐵鉑合金，在收獲了更小的尺寸的同時數(shù)據(jù)存儲的穩(wěn)定性進(jìn)一步加強(qiáng)。

希捷的預(yù)計首款HAMR產(chǎn)品將在2015年或者是2016年面世。