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NAND技術(shù)外泄損失過千億 東芝閃迪怒訴海力士

朱朋博 發(fā)表于:14年03月20日 18:14 [綜述] DOIT.com.cn

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[導(dǎo)讀]東芝和SanDisk分別對韓國SKHynix(海力士-現(xiàn)代)提出訴訟,稱Hynix涉嫌竊取并盜用其NAND閃存相關(guān)技術(shù)。

3月15日,東芝和SanDisk分別對韓國SKHynix(海力士-現(xiàn)代)提出訴訟,稱Hynix涉嫌竊取并盜用其NAND閃存相關(guān)技術(shù)。

該技術(shù)在1987年率先由東芝和SanDisk公司聯(lián)合開發(fā)的,如今主要用于智能手機(jī)和平板電腦當(dāng)中。

東芝和SanDisk在快閃記憶體技術(shù)合作近15年,Hynix是其競爭對手,快閃記憶體晶片是東芝的主要利潤點,該項業(yè)務(wù)的主要對手包括還包括韓國三星電子。

東京警方周四逮捕一名前SanDisk工程師,之后任職Hynix的工程師,涉嫌不當(dāng)提供技術(shù)資料給Hynix。

東芝周五表示已向東京地方法庭提出訴訟。東芝未透露求償金額,但表示因該起泄密導(dǎo)致至少1,000億日圓(9.8億美元)的損失。

SanDisk表示已向加州圣克拉克高等法院對Hynix提出訴訟,尋求損害賠償、禁售令和其他補償。SK Hynix周五表示尚未收到該件訴訟通知,并不予置評。

早在2004年,東芝曾控告海力士就侵犯其閃存專利要求賠償,并禁止銷售相關(guān)產(chǎn)品,最終通過與海力士達(dá)成交叉授權(quán)協(xié)議解決。

 

[責(zé)任編輯:朱朋博]
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