這種新技術(shù)什么時候才準備好商業(yè)規(guī)模生產(chǎn)，三星的3D NAND閃存戰(zhàn)略和它的市場接納程度將會是重要的決定因素。

　　在這種新技術(shù)上現(xiàn)時三星走在東芝和美光的前頭，三星表示他們已經(jīng)開始量產(chǎn)面向消費電子和企業(yè)應(yīng)用的3D NAND閃存，例如嵌入式NAND和SSD。

　　三星在西安的12英寸晶圓廠將達到3D NAND閃存的生產(chǎn)要求，他們計劃在2014年再有新的NAND閃存晶圓廠投入運作。

　　不久前東芝在日本的四日市新晶圓廠破土動工，將在2014年夏季投入使用，生產(chǎn)3D NAND閃存和具有更多高級節(jié)點技術(shù)的芯片。預計東芝會在2015年開始量產(chǎn)3D NAND芯片，而據(jù)稱現(xiàn)在已經(jīng)有樣品提供。

　　美光CEO Mark Durcan早前也表示他們會在2014年第一季度開始提供3D NAND閃存的樣品。