諜影重重?Fusion-io第一時(shí)間發(fā)布公司戰(zhàn)略
置頂網(wǎng)翻譯 發(fā)表于:13年05月20日 00:29 [轉(zhuǎn)載] DOIT.com.cn
注意了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手:在新管理層領(lǐng)導(dǎo)下,F(xiàn)usion-io即將引入一種新的機(jī)制,也就是每隔12-14個(gè)月進(jìn)行一次重大產(chǎn)品開(kāi)發(fā),每隔6-7個(gè)月進(jìn)行一次中期發(fā)布。
這有點(diǎn)像英特爾的“tick-tock”策略,而對(duì)于Fusion-io來(lái)說(shuō),tick就是一次基本產(chǎn)品架構(gòu)變更,tock則是一次中期的發(fā)布或者升級(jí)。
在中期更新方面,我們預(yù)計(jì)將看到從現(xiàn)有的2X NAND閃存向2Y制程(也就是從24nm到20nm)的過(guò)渡,在現(xiàn)有的ioDrive 2和ioScale產(chǎn)品中。
這可能發(fā)生在7月前后,將會(huì)在單位數(shù)據(jù)容量基礎(chǔ)上降低Fusion-io的閃存采購(gòu)成本,讓它的控制器能夠更好地保持較高的性能和可靠性。
在架構(gòu)變更方面,我們將看到第三代ioDrive(ioDrive 3)產(chǎn)品,以及第二代ioScale(ioScale 2?)產(chǎn)品,還有例如使用更新的FPGA代碼和VSL(Virtual StorageLayer軟件)。這將發(fā)生在今年下半年,在我們看來(lái),發(fā)生在第四季度的可能性會(huì)更大一些。
一旦就緒,這個(gè)架構(gòu)將成為接下來(lái)向1X NAND(也就是從19nm過(guò)渡到15nm制程)的過(guò)渡打下基礎(chǔ),如果一切進(jìn)行順利的話,再向1Y(也就是從14nm向10nm過(guò)渡)過(guò)渡,如果仍然一切進(jìn)行順利的話,就是向TLC閃存的過(guò)渡了。
我們不防想象一下,向1X的過(guò)渡在2014年應(yīng)該算是一個(gè)所謂的中期升級(jí),2014年底或者2015年初進(jìn)行一次架構(gòu)上的升級(jí),然后在2015年中前后向1Y過(guò)渡。
3.2TB ioScale卡
向TLC的過(guò)渡可能與2016年初的ioDrive 5架構(gòu)升級(jí)有關(guān),或許就發(fā)生在這之后。這個(gè)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的路線圖是基于Fusion-io管理層向Stifel Nikolaus分析師Aaron Rakers所做的簡(jiǎn)報(bào)得出的。
Fusion-io管理層還談到了競(jìng)爭(zhēng),表示他們認(rèn)為英特爾是Fusion-io在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域最強(qiáng)勁的對(duì)手。分析師Rakers認(rèn)為Virident可能是在架構(gòu)方面與Fusion-io最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,認(rèn)為在XtremSF產(chǎn)品中采用Virident卡的EMC也是需要注意的對(duì)手。EMC此前已經(jīng)表示,將在ioScale產(chǎn)品層面與Fusion-io競(jìng)爭(zhēng)。
事實(shí)上,現(xiàn)在希捷也正在自己的X8 Accelerator產(chǎn)品中OEM Virident的卡技術(shù),因此所有這些和Virident相關(guān)的因素給Fusion-io帶來(lái)的壓力正在持續(xù)加大。
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