記憶科技投入新一代PCIe產(chǎn)品研發(fā)
記憶科技 發(fā)表于:13年03月25日 11:00 [來稿] DOIT.com.cn
記憶科技憑借著儲(chǔ)存領(lǐng)域多年的積累,在去年成功研發(fā)了第一代PCIe SSD產(chǎn)品IOEdge G,為企業(yè)級(jí)固態(tài)存儲(chǔ)應(yīng)用提供了多種解決方案。直到目前,IOEdge G在已有的100GB/200GB/400G/800GB規(guī)格的基礎(chǔ)上,又新推出了1.6TB的版本,以多元化的產(chǎn)品規(guī)格滿足不同客戶的業(yè)務(wù)需求。
信息時(shí)代發(fā)展至今,數(shù)據(jù)已然變成一個(gè)龐然大物。這既是一個(gè)挑戰(zhàn),也是一個(gè)商機(jī):愈來愈多的公司、業(yè)務(wù)都迫切需要更高的總線帶寬。但是現(xiàn)在的PCIe 2.0 x8只能提供4GB/s的最大數(shù)據(jù)傳輸帶寬,并不能很好地填補(bǔ)處理器和磁盤之間的巨大鴻溝——帶寬達(dá)到8GB/s的PCIe 3.0 x8正好可以釋放其所有潛力。
而記憶科技對(duì)于PCIe的產(chǎn)品開發(fā)從未停止。在第一代產(chǎn)品IOEdge G發(fā)布以后,記憶科技便開始投入到了第二代PCIe產(chǎn)品的開發(fā)上面。如今,代號(hào)為Ares的第二代產(chǎn)品,已經(jīng)邁過了驗(yàn)證階段,進(jìn)入了緊張的研發(fā)工作中。
據(jù)記憶科技Ares項(xiàng)目經(jīng)理金明透露,該代產(chǎn)品將向PCIe 3.0接口進(jìn)軍,擁有卓越的IO帶寬和令人滿意的低訪問延遲。同時(shí),記憶科技致力于研發(fā)更加智能的IO調(diào)度、更加有效的均衡磨損算法和加強(qiáng)型的ECC,使得Ares最終達(dá)到業(yè)內(nèi)優(yōu)秀水平的使用壽命。而Flash芯片層級(jí)實(shí)現(xiàn)的數(shù)據(jù)冗余技術(shù),使得Ares在保證SSD可靠性和耐用性的同時(shí),預(yù)計(jì)穩(wěn)態(tài)的讀帶寬將達(dá)到4.0GB/s,穩(wěn)態(tài)的隨機(jī)寫IOPS達(dá)到110K,為企業(yè)級(jí)用戶帶來極致的高性能體驗(yàn)。
值得注意的是,Ares嘗試去抓住用戶的痛點(diǎn)——支持自主調(diào)節(jié)OP空間。這一功能使得終端用戶可以靈活自由地根據(jù)自身的業(yè)務(wù)/架構(gòu)特點(diǎn),調(diào)節(jié)OP空間的大小,達(dá)到最佳的性能、容量的平衡點(diǎn)。此外,Ares擁有健全、豐富的管理信息,用戶可隨時(shí)觀察Ares的壽命、健康、溫度等狀態(tài),并且支持作為啟動(dòng)盤,擁有企業(yè)級(jí)別的掉電保護(hù)功能。
該款產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2014初面世,容量為800GB/1.6TB/3.2TB。
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