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北京，2013年3月5日訊 – HGST正在引領(lǐng)硬盤行業(yè)進入納米光刻技術(shù)前沿，擴展至半導體制造商的視野。通過創(chuàng)建和復制細微的部件，HGST將把未來硬盤(HDD)存儲密度增加一倍。

HGST實驗室日前宣布，通過融合兩種創(chuàng)新納米技術(shù)—即自組裝分子技術(shù)和納米壓印技術(shù)，他們成功創(chuàng)造了大面積的高密度存儲介質(zhì)，其中磁島的寬度只有一百億分之一米(10納米)，只相當于大約50個分子并排的寬度，或者比人類頭發(fā)絲的十萬分之一還要細。

“作為傳統(tǒng)硬盤的制造商，能利用當今納米技術(shù)的進步，繼承與發(fā)揚我們創(chuàng)新的傳統(tǒng)，我們感到很自豪，”HGST研究中心副總裁Currie Munce表示，“HGST實驗室采用的自組裝分子和納米壓印等新興技術(shù)將對納米制造產(chǎn)生巨大影響，使得晶格介質(zhì)將在本十年周期完結(jié)之前，成為提高磁盤密度的經(jīng)濟型手段。”

HGST在納米光刻技術(shù)中的研究成果克服了光刻技術(shù)中所面臨的挑戰(zhàn)。在半導體行業(yè)中，為了不斷實現(xiàn)更小的電子部件而使用越來越短的傳統(tǒng)光波長、改進的光學器件、掩碼、光敏材料及更加智能的技術(shù)時，光刻技術(shù)一直是首選技術(shù)，但是因為紫外光源已經(jīng)變得過于復雜和昂貴，光刻技術(shù)的發(fā)展步伐日漸緩慢。

HGST正成為納米光刻技術(shù)的領(lǐng)導廠商。今天所宣布的成果代表著HGST正以創(chuàng)造性的方式解決光刻技術(shù)問題，并已經(jīng)超越了存儲行業(yè)獨特的技術(shù)目標和嚴苛的成本目標。HGST納米光刻技術(shù)成果是在硬盤行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵時點出現(xiàn)，因為云計算、社交網(wǎng)絡(luò)和移動性正創(chuàng)造出數(shù)量日益龐大的內(nèi)容，所以必須高效地存儲、管理和訪問這些內(nèi)容。

納米光刻工藝進程

在美國加里福尼亞州圣何塞舉行的2013年國際光學工程學會高級光刻技術(shù)大會上，HGST研究員Tom Albrecht介紹了HGST的納米光刻技術(shù)成果。他介紹了其團隊與位于美國德克薩斯州奧斯汀的Molecular Imprints Inc.公司合作開發(fā)的正在申請專利的研究成果，這一技術(shù)可以在硬盤必需的十萬圓形磁軌中制造密集型磁島。

自組裝分子采用混合聚合物，稱為嵌段共聚物，其中由多個相互排斥的段組成。這些段在準備好的表面上外覆一層薄膜，排列成完美的行。聚合物段的尺寸決定著行的間距。在聚合物晶格形成后，一種叫做倍線的芯片行業(yè)工藝使得微小的部件變得更小，創(chuàng)建出兩條單獨的、間隔排列的線路。然后，這些晶格被轉(zhuǎn)換成納米壓印模板，納米壓印是一種精密沖壓工藝，它把納米晶格轉(zhuǎn)移到芯片或磁盤基底上。實踐證明，準備原始表面是一個關(guān)鍵挑戰(zhàn)，以便嵌段共聚物在磁盤存儲轉(zhuǎn)動必需的放射狀路徑和圓形路徑中組成模式。HGST率先把自組裝分子、倍線技術(shù)與納米壓印技術(shù)結(jié)合起來，可以在圓形排列中實現(xiàn)最小10納米的矩形部件。

今天宣布的內(nèi)容為怎樣高效地創(chuàng)建密度遠遠高于當前能力的磁島提供了一個路線圖。HGST 10納米晶格的位密度比當前硬盤增加了一倍，實驗室測試表明，其擁有杰出的初始讀/寫和數(shù)據(jù)保留功能。在整個磁盤上，預計納米壓印工藝將創(chuàng)建超過1萬億個離散的磁島。

“我們實現(xiàn)了超小部件，而毋需使用任何傳統(tǒng)光刻技術(shù)。”Albrecht說，“通過適當?shù)幕瘜W工藝和表面準備，我們認為，這一成果可以擴展到更小尺寸的部件中。”

由于自組裝分子創(chuàng)建重復的模式，研究人員預計它們將最適合制作硬盤的晶格磁性介質(zhì)、電腦內(nèi)存中均勻間隔的區(qū)域、各種觸點及其它類型的半導體芯片的中的周期部件。盡管業(yè)界正在努力完善技術(shù)，以滿足更加苛刻的應(yīng)用，但納米壓印和自組裝分子卻很容易的被引入到可以容錯應(yīng)用中，如硬盤或內(nèi)存。