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在Exadata一體機中，大量的使用了flash加速技術(shù)以提高其I/O的讀寫性能。在之前的文章中有提到了磁盤的性能指標(biāo)，目前僅限于傳統(tǒng)磁盤的讀寫速率，還無法滿足I/O密集型的OLTP系統(tǒng)的要求，Exadata可能會在這些方面出現(xiàn)I/O性能瓶頸。所以在Sun的Exadata V2時代開始，每個存儲節(jié)點就提供四塊96G的F20卡，也就是說每個存儲節(jié)點提供384G的Flash存儲空間。

下面具體來看一下F20卡的部分參數(shù)指標(biāo)：

注意到其中的幾個關(guān)鍵的性能指標(biāo)：隨機讀101000 IOPS，隨機寫88000 IOPS， 順序讀1.1GB/s, 順序?qū)?67MB/s，另外其訪問延遲也是非常小。不過這只是F20卡的純粹技術(shù)指標(biāo)，而沒有考慮DB和Exadata。在數(shù)據(jù)庫服務(wù)器上小于8k的I/O請求都是沒有意義的。所以在Exadata上這個指標(biāo)需要重新評估，所以在Exadata的datasheet中提到單塊F20卡的 Database IOP為375000/3/4=31250, 比4k的I/O請求測試出來的IOPS慢了3倍多。

除了性能的指標(biāo)以外還有容量指標(biāo)，單塊F20卡的實際可用空間為96GB, 實際裸容量為128G。這是怎么回事呢? 再回答這個問題之前，我們先來看一下F20卡內(nèi)部結(jié)構(gòu)的布局。

一塊F20卡實際上是由四個固態(tài)閃存模塊(FDOM)組成的， 也就是圖中所表示的DOM(Disk on module), 這個詞沒有合適的中文翻譯，可以簡單的認(rèn)為它是一個ssd設(shè)備，但是提供更靈活的接口機制。例如F20卡就是使用PCIe的接口，直接插在主板上的，所以O(shè)racle公司一再強調(diào)not flash disks, 就是為了說明這個PCIe的接口能夠不受到磁盤控制器接口(例如SAS和SATA)速度的限制，單卡能夠提供1GB/s的帶寬，而4塊卡其帶寬幾乎是線性擴展。

每個DOM包含8個(4個在前，4個在后)4GB的SLC NAND 組件， 一共為32GB，但是確只有24GB的空間是可尋址的，也就是說只有24GB是系統(tǒng)可識別的，另外的8GB作為備用空間用作地址重定向使用。這種方法是固態(tài)硬盤設(shè)備為了延長使用壽命最常用的辦法。不過無須擔(dān)心，NAND為企業(yè)級的閃存，通常比消費電子品所用的閃存壽命更長，使用壽命一般在5年以上。

F20卡還包含有電源存儲模塊ESM(Energy Storage Module ), 也就是我們常說的電池。實際上它并不是常規(guī)意義上的電池，而是一個叫做超級電容(supercapacito)的東西。它和普通的電池相比， 具有壽命更長，充放電率高，功率更高的優(yōu)點。不過這種ESM只有2-3年的壽命(Oracle Exadata Owner‘ Guide上說的是3-4年， 這里以 Sun Flash Accelerator F20 Energy Storage Module (ESM) Lifespan. [ID 1327000.1]文檔為準(zhǔn)，早期的計算ESM的耗損率以兩年為基準(zhǔn)，現(xiàn)在基本都是以三年的壽命來計算的)，2-3年以后需要更換這個ESM，更換 ESM的時候，可以用rolling的方式進行，只在存儲節(jié)點段逐一進行，而不需要停止數(shù)據(jù)庫。

如果ESM的電量耗盡，則閃存的寫模式自動從write-back切換到write-through模式，造成性能下降。當(dāng)然Exadata Smart Flash Cache(ESFC)這個特性早期只能使用write-through的模式，所以通常不是什么大問題，而使用write-through模式的 FSFC性能提升比較有限。在最新版的Exadata 11.2.3.2這個版本(X3都是在這個版本以上)正式引入ESFC的write-back的寫模式，這個特性才真正開始發(fā)揮ESFC的威力。